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人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)各界的努力，而各種電子產(chǎn)品的升級(jí)離不開設(shè)計(jì)師的努力。

實(shí)際上，許多人并不了解電子產(chǎn)品的組成，例如集成。

MOSFET。

節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR＆amp; reg; 3x3S封裝，最大RDS（ON）導(dǎo)通電阻減小至8.05m，Qg為6.5n。

CMOSFET的初衷是：MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（場效應(yīng)晶體管）晶體管），即金屬層（M）的柵極與氧化物層（ O）的作用，電場的作用用于控制半導(dǎo)體（S）。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（紐約證券交易所股票代碼：VSH）宣布推出新型40V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)-SiZ240DT，可用于提高功率密度和效率。

白色家電以及工業(yè)，醫(yī)療和通訊應(yīng)用。

VishaySiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR＆amp; reg;中集成了高端和低端MOSFET。

3.3mmx3.3mm單片封裝導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻和柵極電荷的乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要品質(zhì)因數(shù)（FOM）已達(dá)到業(yè)界卓越水平。

功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型的MOS型（金屬氧化物半導(dǎo)體FET），稱為功率MOSFET（功率MOSFET）。

兩個(gè)TrenchFET＆reg; SiZ240DT中的MOSFET內(nèi)部連接為半橋配置。

SiZ240DT的通道1 MOSFET通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān)。

10V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻為8.05mΩ，4.5V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻為12.25mΩ。

通道2 MOSFET，通常用作同步開關(guān)，在10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為8.41mΩ，在4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為13.30mΩ。

這些值比下一個(gè)競爭對(duì)手低16％。

結(jié)合6.9nC（通道1）和6.5nC（通道2）的低柵極電荷，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積FOM比排名第二的器件低14％，從而有助于提高快速開關(guān)應(yīng)用的效率。

結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管通常稱為靜態(tài)感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor-SIT）。

其特點(diǎn)是利用柵極電壓控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡單，所需驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但是其電流容量小，耐壓低。

適用于功率不超過10kW的電力電子設(shè)備。

集成MOSFET使用無線內(nèi)部結(jié)構(gòu)來最大程度地減少寄生電感，以實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，從而減小磁性器件的尺寸和最終設(shè)計(jì)。

其優(yōu)化的Qgd / Qgs比降低了噪聲，并進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的開關(guān)特性。

SiZ240DT經(jīng)過Rg和UIS的100％測(cè)試，符合RoHS要求且不含鹵素。

本文只能使您對(duì)集成MOSFET有一個(gè)初步的了解。

這對(duì)您入門很有幫助。

同時(shí)，您需要繼續(xù)進(jìn)行總結(jié)，以便提高您的專業(yè)技能。

也歡迎您討論本文的一些知識(shí)點(diǎn)。