必須是！ MOS場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
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半導(dǎo)體晶體管的傳導(dǎo)涉及兩個(gè)極性載流子，因此也稱為雙極性晶體管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極三極管，因?yàn)檫@種管利用電場效應(yīng)來控制電流，所以它也是稱為場效應(yīng)三極管（FET），簡稱為場效應(yīng)管。
場效應(yīng)晶體管可分為兩類，一類是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET），另一類是絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。即使您搜索“結(jié)型場效應(yīng)晶體管”，也只有少數(shù)幾個(gè)出現(xiàn)。
您是否懷疑結(jié)型場效應(yīng)晶體管已被人類拋棄？是的，相對(duì)很少使用JFET?，F(xiàn)在，我們跳過JFET，只分享絕緣柵場效應(yīng)晶體管的基本知識(shí)。
絕緣柵場效應(yīng)晶體管的中文全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。由于該場效應(yīng)晶體管的柵極被絕緣層隔離，因此也稱為絕緣柵場效應(yīng)晶體管。
英文縮寫是MOSFET，通常稱為MOS。管子。
MOSFET的輸入電阻非常高，高達(dá)109Ω或更高。從導(dǎo)電通道，它可以分為N通道和P通道。
無論是N通道還是P通道，都可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。類型。
通常將N溝道MOS管簡稱為NMOS，將P溝道MOS管簡稱為PMOS。 ▲MOS管型MOS管有3個(gè)引腳，即柵極G，漏極D，源極S。
通常，MOS管的基板與管內(nèi)的S極相連，并且MOS管通常在D管之間有一個(gè)寄生二極管。極和S極。
因此，您看到的MOS管的符號(hào)通常繪制如下。 ▲MOS管符號(hào)通常是這樣繪制的。
仔細(xì)觀察的朋友會(huì)發(fā)現(xiàn)，無論是N通道還是P通道，寄生二極管的方向始終與箭頭方向相同。實(shí)際上，在通常的使用中，使用更多的N溝道增強(qiáng)型或P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管，并且相對(duì)很少使用耗盡型晶體管。
那么，如何使用MOS管作為電子開關(guān)呢？例如，驅(qū)動(dòng)LED？先來兩張圖片。 ▲MOS管作為電子開關(guān)的簡單應(yīng)用通常認(rèn)為MOS管的導(dǎo)通不需要電流，只要UGS提供一定的電壓，就可以導(dǎo)通。
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOS管，當(dāng)UGS大于某個(gè)值時(shí)，它將被打開。 “確定值”指的是“特定值”。
這里提到的是指導(dǎo)通電壓UGS（th），而N溝道增強(qiáng)型UGS（th）通常在?4V之間為2。對(duì)于P溝道增強(qiáng)型MOS管，當(dāng)UGS小于某個(gè)值時(shí)，它將導(dǎo)通，并且P溝道增強(qiáng)型UGS（th）通常在-2和-4V之間。
如果UGS無法達(dá)到相應(yīng)的電壓值，則無法打開MOS，因此MOS管是一個(gè)壓控元件。一些朋友可能會(huì)問，電路圖中電阻Rgs的作用是什么？就是這種情況。
在MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，G極，D極和S極實(shí)際上被二氧化硅絕緣層隔開，這相當(dāng)于電容器的存在。這些寄生電容是不可避免的。
電容的大小取決于MOS管的結(jié)構(gòu)，材料和施加的電壓。如果上面的電路圖沒有電阻Rgs，電路將變成什么？以圖1為例進(jìn)行一個(gè)小實(shí)驗(yàn)。
當(dāng)沒有電阻Rgs時(shí)，將5V控制信號(hào)連接到G極等效于為寄生電容Cgs充電。即使去除了G極上的控制電壓，G極上也有一個(gè)電容器電壓，所以MOS仍然導(dǎo)通。
當(dāng)G極和S極上有電阻Rgs時(shí)，當(dāng)G極去除5V信號(hào)時(shí)，電阻Rgs可以釋放寄生電容Cgs上的電壓，因此MOS截止。因此，在上述電路中增加電阻器Rgs可以及時(shí)釋放電容器的電壓，這有利于提高電路的可靠性，并且可以在沒有控制信號(hào)時(shí)防止G極發(fā)生故障。
MOS管具有輸入阻抗高，開關(guān)速度快，熱穩(wěn)定性好，電壓控制電流大等特點(diǎn)。在電路中，它可以用作放大器，電子開關(guān)和其他用途。
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