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在當(dāng)今高度發(fā)展的科學(xué)技術(shù)中，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么您是否知道這些高科技可能包含獨(dú)立的MOSFET？ Diodes最近宣布推出新一代的第一個(gè)獨(dú)立MOSFET。

DMN3012LEG采用輕巧的封裝，可以提高效率，并大大節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換和控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本，功率和空間。

功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型的MOS型（金屬氧化物半導(dǎo)體FET），稱為功率MOSFET（功率MOSFET）。

結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管通常稱為靜態(tài)感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor-SIT）。

DMN3012LEG在單個(gè)封裝中集成了雙MOSFET，尺寸僅為3.3mm x 3.3mm。

與典型的雙芯片解決方案相比，電路板空間需求最多可減少50％。

節(jié)省空間的功能有助于使用負(fù)載點(diǎn)（PoL）和電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用程序。

DMN3012LEG可用于DC-DC同步降壓轉(zhuǎn)換器和半橋電源拓?fù)渲?，以減小電源轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。

功率MOSFET的類型：根據(jù)導(dǎo)通通道，它可以分為P通道和N通道。

根據(jù)柵極電壓幅值，可分為：耗盡型；耗盡型。

當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，漏極與源極之間存在導(dǎo)電通道，為增強(qiáng)型。

對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）在零時(shí)存在一個(gè)導(dǎo)電溝道，并且功率MOSFET主要是??N溝道增強(qiáng)型。

PowerDI＆reg;的3D結(jié)構(gòu)3333-8 D型封裝有助于提高整體電源效率，并且高電壓和額定電流極大地?cái)U(kuò)展了其應(yīng)用范圍。

完全接地的墊片設(shè)計(jì)可帶來良好的散熱效率，降低整個(gè)解決方案的工作溫度，并充分利用高開關(guān)速度和效率，從而無需大型電感器和電容器。

MOSFET的開關(guān)速度與Cin的充電和放電有很大關(guān)系。

用戶無法降低Cin，但可以降低驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)部電阻Rs來減小時(shí)間常數(shù)并加快開關(guān)速度。

關(guān)斷過程非常快，開關(guān)時(shí)間在10-100ns之間，工作頻率可以達(dá)到100kHz以上，這是主要功率電子設(shè)備中最高的。

DMN3012LEG集成了兩個(gè)N溝道增強(qiáng)模式MOSFET，非常適合同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。

該器件采用橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）工藝，并具有快速導(dǎo)通和間歇?jiǎng)幼鞯奶匦浴?/p>

Q1的延遲時(shí)間僅為5.1ns和6.4ns，Q2的僅為4.4ns和12.4ns，Q1的最大導(dǎo)通電阻（RDS（ON））為Vgs = 5V時(shí)僅為12mΩ，而Q2當(dāng)Vgs = 5V時(shí)為6mΩ。

如果柵源電壓為10V，則DMN3012LEG可以接受30V漏源電壓并同時(shí)支持5V柵驅(qū)動(dòng)。

上面是一些獨(dú)立的MOSFET的詳細(xì)分析，值得每個(gè)人學(xué)習(xí)。

希望您在與您取得聯(lián)系時(shí)能給您一些幫助。

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