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RAM主要由存儲矩陣，地址解碼器和讀/寫控制電路（I / O控制電路）組成。

1.存儲矩陣（數(shù)據(jù)線）上圖中虛線框中的小方塊表示存儲單元，可以存儲1位二進制代碼。

存儲單元可以是靜態(tài)（觸發(fā)）或動態(tài)（動態(tài)MOS存儲單元）。

這些存儲器單元通常以陣列形式排列以形成存儲器矩陣，以便使地址解碼更簡單。

2.地址譯碼器（地址線）分支地址譯碼器和列地址譯碼器分為兩部分。

3.芯片選擇和I / O控制電路（控制線）當一塊RAM集成塊不能滿足存儲容量要求時，可以連接多個RAM以形成具有更大存儲容量的RAM以滿足要求，存儲容量可以擴展。

通常有兩種類型的位擴展和字擴展。

1.存儲器芯片的位長大多為1位，4位，8位，依此類推。

當實際存儲系統(tǒng)的字長超過存儲芯片的字長時，需要進行位擴展。

位擴展方法：芯片的并行連接（地址線，控制線共享，數(shù)據(jù)線組合）例如：下圖顯示了由兩個8K×8位芯片實現(xiàn)的8K×16位存儲器。

2.字擴展方法：地址線，數(shù)據(jù)線和讀/寫控制線連接在一起，外部解碼器控制每個芯片的芯片選擇端（/ CS）。

下圖顯示了4個8K x 8位RAM（32K x 8位）。

在該圖中，解碼器的輸入是高位地址A14，A13，并且解碼器的輸出連接到每個RAM的芯片選擇信號。

如果RAM（2）片的A14A13 = 01，/ CS = 0，并且每個剩余RAM的/ CS是1，則選擇第二片。

讀取的內(nèi)容由較低地址A12至A0確定。

顯然，四塊RAM依次工作。

在任何時候，只有一塊RAM處于工作狀態(tài)，整個系統(tǒng)中的字數(shù)增加了四倍，字長仍然是八。

1.隨機訪問術(shù)語“隨機訪問”。

意味著當讀取或?qū)懭氪鎯ζ髦械南r，所需的時間與信息的位置無關(guān)。

相反，當在順序存取存儲設備中讀取或?qū)懭胄畔r，需要時間和位置（例如磁帶）。

2.電源關(guān)閉時，易失性RAM無法保留數(shù)據(jù)。

如果需要保存數(shù)據(jù)，則必須將它們寫入長期存儲設備（例如硬盤）。

與RAM和ROM相比，兩者之間最大的區(qū)別是存儲在RAM中的RAM在電源關(guān)閉后會自動消失，而ROM則不會。

3，高訪問速度現(xiàn)代隨機存取存儲器是幾乎所有訪問設備的最快寫入和讀取速度，并且與涉及機械操作的其他存儲設備相比，存儲延遲也是微不足道的。

4.需要刷新現(xiàn)代隨機存取存儲器依靠電容來存儲數(shù)據(jù)。

當電容器充滿電時，它表示1（二進制），未充電表示0.由于電容器的泄漏或多或少，數(shù)據(jù)將隨著時間的推移逐漸消失而無需特殊處理。

刷新是在指定時間段內(nèi)讀取電容器的狀態(tài)，然后根據(jù)原始狀態(tài)對電容器進行再充電以彌補損失的電荷。

需要刷新才能解釋隨機存取存儲器的波動性。

5.對靜電敏感與其他精細集成電路一樣，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電非常敏感。

靜電會干擾存儲器中電容器的電荷，導致數(shù)據(jù)丟失甚至燒毀電路。

因此，在觸摸隨機存取存儲器之前，請用手觸摸金屬接地。

1.靜態(tài)存儲單元（SRAM）●存儲原理：通過觸發(fā)存儲數(shù)據(jù)●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或CMOS●優(yōu)點：速度快，使用簡單，無需刷新，靜態(tài)功耗極低;常用作緩存●缺點：元件數(shù)量多，集成度低，功耗高●常用SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位）， 2114（1K×4位）2。

動態(tài)存儲單元（DRAM）●存儲原理：MOS管柵電容存儲電荷的原理需要刷新（早期：三管基本單元;現(xiàn)在：單管基本單元）●刷新（再生）：及時補充去除電荷以避免丟失存儲的信息，并且必須定期對柵極電容器充電的操作進行充電。

●刷新時間：定期執(zhí)行刷新操作的時間。

此時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。

●優(yōu)點：集成度遠高于SRAM，功耗低，價格低。

●缺點：由于需要刷新，外圍電路復雜;刷新也使訪問速度比SRAM慢，因此在計算機中，DRAM通常用作主存儲器。

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然而，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，使用更少的元件，高集成度和低功耗，它已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。