動態(tài)隨機存取存儲器是使用FET柵極和電容器作為存儲元件的MOS存儲器，并且輸入數(shù)據(jù)以動態(tài)形式存儲。 DRAM只能在短時間內保存數(shù)據(jù)。
為了保持數(shù)據(jù)，DRAM必須每隔一段時間刷新一次。如果未刷新存儲單元，則數(shù)據(jù)將丟失。
最初，DRAM用于關鍵內存。由于電容器實際上存在泄漏現(xiàn)象，因此電位差不足并且存儲器消失。
因此，除非周期性地周期性地對電容器充電，否則不能保存存儲器。由于這個需要定時刷新的功能，它被稱為“動態(tài)”刷新。
記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單 - 每個數(shù)據(jù)位只需要一個電容器和一個晶體管進行處理，而SRAM上只有六個晶體管。
因此，DRAM具有非常高的密度和每單位體積的高容量，因此成本低。但相反，DRAM還具有訪問速度較慢和功耗較高的缺點。
與大多數(shù)隨機存取存儲器（RAM）一樣，它是易失性存儲器設備，因為DRAM中的數(shù)據(jù)在電源關閉后立即消失。動態(tài)存儲單元由MOS晶體管的柵極電容C和柵極控制管組成，并利用FET的柵極之間的分布電容來存儲信息以存儲電荷，即電容器端子的電壓。
表示“1”。和“0”。
數(shù)據(jù)作為電荷存儲在柵極電容上。電容器上的高電壓表示存儲數(shù)據(jù)1;電容器沒有存儲電荷，電壓為零，表示存儲了數(shù)據(jù)0。
由于泄漏，存儲在電容器中的信息不能長時間保持。為防止信息丟失，必須定期對電容器充電。
此操作稱為“刷新”。動態(tài)隨機存取存儲器每個存儲單元需要較少的FET。
通常，有4個管，3個管和單管DRAM。因此，它具有更高的集成度和更低的功耗，但缺點是節(jié)省。
DRAM中的信息 - MOSFET柵極分布電容中的信息將隨著電容器的泄漏而逐漸消失，一般信息存儲時間約為2ms。為了將信息保存在DRAM中，必須每1~2ms刷新一次。
因此，使用DRAM的計算機必須配備動態(tài)刷新電路以防止信息丟失。 DRAM通常用作計算機中的主存儲器。
DRAM的存儲器單元從硅晶片蝕刻并位于由存儲器列（位線）和存儲器線（字線）組成的陣列中。當位線和字線相交時，形成存儲單元的地址。
DRAM操作以向所選存儲器列（CAS）發(fā)送電荷以在存儲體上的每個位激活晶體管。寫入數(shù)據(jù)時，存儲器線將電容器保持在原位。
讀取數(shù)據(jù)時，電容器中的電荷電平由讀出放大器測量。如果充電水平大于50％，則讀取值1;否則讀取值0.計數(shù)器跟蹤刷新序列，該序列記錄訪問了哪些行以及訪問它們的順序。
完成所有工作所需的時間非常短，需要以納秒（十億分之一秒）計算。存儲器芯片被列為70納秒的事實意味著芯片總共需要70納秒來讀取單個存儲器單元并完成再充電。
如果沒有讀取和寫入信息作為支持的策略，則存儲單元本身就毫無價值。因此，存儲單元具有一整套基礎設施，包括其他類型的專用電路。
這些電路具有以下功能：1。區(qū)分存儲器行和存儲器列的地址（行地址和列地址）; 2.記錄刷新順序（計數(shù)器）; 3.從存儲器單元（讀出放大器）讀取和恢復數(shù)據(jù)4.告訴存儲器單元是否接受充電（寫保護）; 5.存儲器控制器必須執(zhí)行其他任務，包括識別存儲器的類型，速度和容量，以及錯誤檢測等。
