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高頻下電容等效電路模型
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在高頻條件下，電容器的性能會受到多種因素的影響，導致其實際表現(xiàn)與理想電容模型有所偏差。為了更準確地描述這種現(xiàn)象，通常采用一個包含電容、串聯(lián)電阻（ESR）和串聯(lián)電感（ESL）的等效電路模型來表示實際電容的行為。在這個模型中，電容C代表電容器的基本儲能元件；ESR反映了電容器引線和內(nèi)部介質(zhì)的損耗；而ESL則主要由電容器的物理結(jié)構(gòu)決定，包括引腳、端子和電容器本身的寄生電感。這些寄生參數(shù)在高頻時變得尤為重要，因為它們會限制電容器的去耦效果，影響濾波器的頻率響應，并可能導致振蕩或其他不良效應。因此，在設計高頻電路時，了解并考慮這些寄生參數(shù)對于優(yōu)化電路性能至關重要。
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